Η ไต้หวันเซมิคอนดักเตอร์ผลิต จำกัด. นำเสนออย่างเป็นทางการที่ งานสัมมนาเทคโนโลยี TSMC ปี 2022, เทคโนโลยีการผลิตของมัน N2 (ประเภท 2 นาโนเมตร)
O โหนดแรก TSMC ในหมวดของ นาโนเมตร 2 จะใช้ทรานซิสเตอร์สนามผล (GAAFETs - ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามเกททุกรอบ) และกระบวนการผลิตใหม่จะให้ประสิทธิภาพและข้อได้เปรียบด้านพลังงาน แต่ในแง่ของความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์ แทบจะไม่ประทับใจในปี 2025 เมื่อเปิดตัว
เป็นแพลตฟอร์มเทคโนโลยีกระบวนการใหม่ล่าสุด the N2 ของ TSMC นำนวัตกรรมที่สำคัญสองประการ: ทรานซิสเตอร์นาโนฟอยล์ (ซึ่งเป็นสิ่งที่ T เรียกว่าSMC เป็น GAAFET) และ รางไฟด้านหลัง เพื่อวัตถุประสงค์เดียวกันในการเพิ่มคุณลักษณะด้านประสิทธิภาพต่อวัตต์ของโหนด
ทรานซิสเตอร์นาโนฟอยล์ GAA มีช่องล้อมรอบด้วยประตูทั้งสี่ด้านซึ่งช่วยลดการรั่วซึม นอกจากนี้ยังขยายช่องสัญญาณเพื่อเพิ่มการไหลของการจราจรและเพิ่มประสิทธิภาพหรือลดขนาดเพื่อลดการใช้พลังงานและค่าใช้จ่าย
ในการจ่ายไฟให้ทรานซิสเตอร์นาโนฟอยล์ที่มีกำลังเพียงพอและตอนนี้สูญเสียพลังงานไปทั้งหมด N2 ของ TSMC ใช้แหล่งจ่ายไฟที่ด้านหลังซึ่งถือว่าเป็นหนึ่งในโซลูชั่นที่ดีที่สุดสำหรับการต่อสู้กับตัวต้านทานส่วนหลัง (BEOL นามสกุล).
ในแง่ของประสิทธิภาพและการใช้พลังงาน โหนด N2 ที่ใช้นาโน TSMC สามารถบรรลุได้ ผลผลิตสูงขึ้น 10% ถึง 15% ที่มีพลังและความซับซ้อนเท่ากัน และ2ลดการใช้พลังงานลง 5% ถึง 30% ที่ความถี่และจำนวนทรานซิสเตอร์เท่ากันเมื่อเปรียบเทียบกับ TSMC N3E. อย่างไรก็ตาม โหนดใหม่นี้เพิ่มความหนาแน่นของชิปได้เพียง 1,1 เท่า เมื่อเทียบกับ N3E
โดยทั่วไป N3 ของ TSMC เพิ่มประสิทธิภาพโหนดแบบเต็มและลดการใช้พลังงาน แต่ในแง่ของความหนาแน่น เทคโนโลยีใหม่แทบไม่สร้างความประทับใจให้ใคร ตัวอย่างเช่น โหนด N3E ของข้อเสนอ TSMC 1,3X ความหนาแน่นของชิปเพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับ N5 ซึ่งเพิ่มขึ้นอย่างมาก
อย่าลืมกดติดตามนะครับ Xiaomi-miui.gr ที่ Google News เพื่อแจ้งให้ทราบทันทีเกี่ยวกับบทความใหม่ทั้งหมดของเรา! คุณยังสามารถถ้าคุณใช้โปรแกรมอ่าน RSS ให้เพิ่มหน้าของเราในรายการของคุณโดยทำตามลิงค์นี้ >> https://news.xiaomi-miui.gr/feed/gn
ติดตามเราได้ที่ Telegram เพื่อให้คุณเป็นคนแรกที่เรียนรู้ทุกข่าวของเรา!
