Η GIGABYTE TECHNOLOGY บจก. จำกัด, ผู้ผลิตเมนบอร์ด กราฟิกการ์ด และโซลูชั่นฮาร์ดแวร์ชั้นนำ ประกาศเปิดตัวเมนบอร์ด B660 และ H610ซึ่งมอบแพลตฟอร์มที่ยอดเยี่ยมและยืดหยุ่นแก่ผู้ใช้
Δมีการออกแบบถึง 16 + 1 + 1 เฟส DrMOS VRM โดยแต่ละเฟสสามารถทนได้ถึง 60 แอมป์ และการออกแบบระบบระบายความร้อนแบบครอบคลุม ซีรีส์ GIGABYTE B660 และ H610 สามารถรองรับโปรเซสเซอร์รุ่นล่าสุดได้อย่างสมบูรณ์แบบ Intel® Core™ รุ่นที่ 12.
การก่อตัวของสองความทรงจำ DDR4 และ DDR5 ด้วยคุณสมบัติที่น่าตื่นเต้น XMP นำเสนอประสิทธิภาพที่โดดเด่นตลอดจนประสิทธิภาพการจัดเก็บข้อมูลที่เหนือกว่า การขยายและเครือข่ายที่ยืดหยุ่น ช่วงต่างๆ GIGABYTE B660 และ H610 นำประสิทธิภาพที่เหลือเชื่อเกินความคาดหมายของผู้ใช้
เริ่มจาก ชิปเซ็ต B560, Intel® ได้แนะนำความสามารถในการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำบนชิปเซ็ต B660 ล่าสุดพร้อมรองรับทั้ง DDR4 เช่นเดียวกับ DDR5ซึ่งชนะใจผู้ใช้ในซีรีส์ B เพื่อให้สามารถขับเคลื่อน CPU ได้อย่างทรงพลังด้วยความเร็วสูง โอเวอร์คล็อก XMP ในหน่วยความจำ เมนบอร์ดของซีรีส์ GIGABYTE B660 AORUS และ GAMING นำมาใช้ถึง เฟสกำลัง 16 + 1 + 1 พร้อม 60Amp ในแต่ละเฟส ซีรีส์ AORUS ยังติดตั้งฮีทซิงค์และแผ่นความร้อน 5 W / mK ที่ปิดสนิทเพื่อการกระจายความร้อนขั้นสูงและปรับปรุงความเสถียรในพื้นที่ VRM.
การ์ดแม่ของ GIGABYTE B660 สนับสนุนต่อไป DDR4 และ DDR5 จากชิปเซ็ต Z690. เสริมด้วยการออกแบบเลย์เอาต์เฉพาะรุ่นที่รองรับ DDR4 สามารถเข้าถึงความเร็วที่น่าประทับใจของ เมกะเฮิรตซ์ 5600*ในขณะที่นางแบบ DDR5 ใช้ประโยชน์จากสถาปัตยกรรมหน่วยความจำใหม่ที่ให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูง เวลาแฝงต่ำ และใช้พลังงานต่ำ
นอกจากนี้ เมนบอร์ด GIGABYTE B660 DDR5 อัปเกรดคุณสมบัติขั้นสูงหลายอย่างจากซีรีส์ Z690. การทำงาน "DDR5 ปลดล็อคแรงดันไฟฟ้า”สามารถปลดล็อกช่วงการตั้งค่าแรงดันไฟในตัวของหน่วยความจำ DDR5 ได้ ช่วยให้ผู้ใช้มีเวลาหน่วยความจำสูงขึ้นและมีเสถียรภาพมากขึ้น นอกจากนี้การตั้งค่า BIOS ยังได้รับการปรับให้เหมาะสมตามระดับใหม่ซึ่ง "DDR5 ออโต้บูสเตอร์”สามารถปรับปรุงความถี่โดยธรรมชาติได้ DDR5 จาก 4800 MHz ถึง 5000 MHz ด้วยการคลิกง่ายๆ และเพิ่มความทรงจำของคุณโดยอัตโนมัติหลังจากโหลด Windows
สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของคอมพิวเตอร์ในโลกแห่งความเป็นจริง NS "บูสเตอร์ DDR5 XMP”ช่วยให้ผู้ใช้สามารถเลือกโปรไฟล์การโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำในตัวและกำหนดค่าล่วงหน้าได้อย่างรวดเร็ว NS "โปรไฟล์ผู้ใช้ XMP 3.0”อนุญาตให้ผู้ใช้สร้างและเข้าสู่โปรไฟล์ด้วยตนเอง XMP เพื่อปลดปล่อยประสิทธิภาพสูงสุดของความทรงจำ เหนือสิ่งอื่นใด ความถี่หน่วยความจำของเมนบอร์ด GIGABYTE B660 DDR5 สามารถเพิ่มเป็น 6000MHz XMP.
สำหรับผู้ใช้ที่ตั้งใจจะปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบโดยการเพิ่มความเร็วในการเข้าถึงของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล รุ่นต่างๆ GIGABYTE B660 AORUS เกมมิ่ง M-ATX และด้านบนรวมซ็อกเก็ตสองชุด PCIe 4.0 M.2 มีตัวป้องกันความร้อนอย่างน้อยหนึ่งตัว การออกแบบนี้ไม่เพียงแต่ดึงประสิทธิภาพสูงสุดบน ฮิต MB / s ของสุดท้าย PCIe 4.0 ตัวควบคุม SSDแต่ผู้ใช้ยังสามารถปรับปรุงความเร็วในการเข้าถึงได้ด้วยการกำหนดค่า RAID
ในแง่ของการเชื่อมต่อ มาเธอร์บอร์ดของซีรีส์ GIGABYTE B660 AORUS และ GAMING เพียบพร้อมไปด้วย อีเธอร์เน็ต 2.5Gb และ 802.11ax WiFi 6 / 802.11ac เพื่อเครือข่ายที่คล่องตัวที่สุด ด้วยการกำหนดค่าที่เหมาะสม ผู้ใช้สามารถเพลิดเพลินกับเครือข่ายที่มีแบนด์วิดท์สูงได้อย่างลงตัวระหว่างการต่อสู้ออนไลน์หรือการจัดเก็บข้อมูลเครือข่าย ในแง่ของการขยายภายนอก มาเธอร์บอร์ด GIGABYTE เลือก B660 รับเลี้ยง USB 3.2 Gen2x2 Type C ที่ 20 Gbps และดีไซน์ด้านหน้า USB 3.2 Gen 2 ประเภท C ให้ความเร็วในการส่งที่รวดเร็วและมีประสิทธิภาพมากขึ้นของสื่อจัดเก็บข้อมูลภายนอก
การ์ดแม่ GIGABYTE B660 และ H610 ออกสู่ตลาดแล้ว พร้อมด้วยเมนบอร์ด Z690, ซีรีส์ที่ไว้ใจได้ GIGABYTE Intel® 600 เป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับคอมพิวเตอร์และเกมระดับไฮเอนด์
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม โปรดเยี่ยมชมเว็บไซต์ทางการของ GIGABYTE: http://www.gigabyte.com.gr/products/mb/
* NS DDR4 5600 MHz และ DDR5 XMP 6000 MHz เป็นข้อมูลในห้องปฏิบัติการ ผลลัพธ์จริงจะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับ CPU การออกแบบฮาร์ดแวร์ของเมนบอร์ด อุปกรณ์ต่อพ่วง และการตั้งค่า ดูรายการรองรับหน่วยความจำสำหรับข้อมูลเพิ่มเติม
ข่าวประชาสัมพันธ์
อย่าลืมกดติดตามนะครับ Xiaomi-miui.gr ที่ Google News เพื่อแจ้งให้ทราบทันทีเกี่ยวกับบทความใหม่ทั้งหมดของเรา! คุณยังสามารถถ้าคุณใช้โปรแกรมอ่าน RSS ให้เพิ่มหน้าของเราในรายการของคุณโดยทำตามลิงค์นี้ >> https://news.xiaomi-miui.gr/feed/gn
